ESAKI, Leo (1925) Japon fizik bilgini. Katı hal fiziğine, özellikle yarı iletkenlerdeki “tünel” olayına ilişkin kuramsal ve deneysel çalışmalar yapmıştır.
12 Mart 1925’te Osaka’da doğdu. 1947’de Tokyo Üniversitesi’nin fizik bölümünü bitirerek elektronik araçlar üreten bir şirkette çalışmaya başladı. 1956’da da Sony grubunun araştırmacıları arasına katıldı. 1959’da Tokyo Üniversitesi’nden doktora derecesini alarak ABD’ye giden ve International Business Machines’in (IBM)Yorktown Heights’daki laboratuvarlarında araştırmacı olarak çalışan Esaki, yarı iletken diyotlardaki tünellenme ve eksi direnç olayına ilişkin araştırmalarıyla 1973 Nobel Fizik Odülü’nü almıştır.
1934’te C.Zener, yalıtkanların yüksek elektrik alanlarında geçirgen duruma gelmesinin nedenini, yüklü taneciklerin oluşturduğu engeller arasızdan elektronların geçmesine bağlamıştı. Tünellenme ya da tünel olayı (etkisi) denilen bu olgu, parçacıkların kimi kez bulundukları enerji düzeyinden daha yüksek değerdeki potansiyel engellerini aşabilmesinden ileri gelir. Sony’de araştırmacı olarak bulunduğu yıllarda, Bardeen, Brattain ve Shockley’in yarı iletkenler üzerindeki çalışmalarını ilgiyle izleyen Esaki, araştırmalarını Zener olgusu üzerinde yoğunlaştırdı. Germanyum, silisyum gibi yarı iletkenlerle deneylere başladıktan bir süre sonra, özel olarak büyüttüğü germanyum kristallerinde 100 Angström (1 Angström = 108 cm) genişliğinde çok ince duvarlar elde etti ve uygulanan
gerilim ile kristalden geçen elektrik akımı arasında olağan olmayan bir bağlantı gözlemledi. Gerilim arttıkça, akım da doğal olarak artıyor, ancak bir doruğa ulaştıktan sonra düşmeye başlıyordu. Belli bir düzeye indikten sonra yeniden yükselmeye başlayan grafiğin anormallik gösteren bölgesi, akımın, artan gerilime bağlı olarak azaldığı kesimdi, bu da direncin eksi olması demekti.
Yarı iletkenlerdeki bu olguyu tünelleme dayıyla açıklayan ve doktora tezine konu alan Esaki’nin bulgusu, daha gelişmiş tünel diyotlarmın yapımında yeni olanaklar sağladı. “Esaki diyotu”nun önemi, boyutlarının çok küçük olması ve akım verilir verilmez çalışmaya başlaması nedeniyle, çeşitli elektronik aygıtlarda transistörlerin yerini alarak yeni uygulamalara ortam hazırlamasıdır.
Türk ve Dünya Ünlüleri Ansiklopedisi